Антыстатычны ўспенены сілікон - гэта своеасаблівы функцыянальны матэрыял з эластычнасцю і праводзячымі/антыстатычнымі ўласцівасцямі, які заснаваны на сінэргетычным эфекце складу матэрыялу і кіпрай структуры.
Анты{0}}статычныя характарыстыкі ў асноўным дасягаюцца за кошт уключэння ў гумовую сумесь электраправодных напаўняльнікаў. Гэтыя напаўняльнікі ўключаюць у сябе электраправодныя матэрыялы ў сіліконавай матрыцы, як правіла, на аснове вугляроду-, металічных парашкоў і павярхоўна-актыўных рэчываў. Матэрыялы на аснове-вугляроду, такія як сажа, вугляродныя нанатрубкі і графен, а таксама металічныя парашкі, такія як срэбра і нікель (хоць апошні каштуе даражэй). Павярхоўна-актыўныя рэчывы - гэта звычайна іённыя дабаўкі, якія ўтвараюць праводзяць шляхі шляхам адсарбцыі вільгаці. Гэтыя напаўняльнікі ствараюць токаправодную сетку, дазваляючы першапачаткова ізаляцыйнаму сілікону праводзіць электрычнасць. Шлях рассейвання зарада Калі статычныя зарады ўтвараюцца ў выніку трэння паверхні, токаправодная сетка хутка рассейвае зарады раўнамерна, прадухіляючы лакальнае назапашванне. Павярхоўнае супраціўленне звычайна рэгулюецца ў межах ад 10^6 да 10^10 Ом, што эфектыўна прадухіляе электрастатычны разрад (ESD), не выклікаючы кароткіх замыканняў з-за празмернай праводнасці.
Па-другое, структура пены дэманструе сінэргічны эфект узмацнення. Мікра-порістая архітэктура ўспененага сіліконавага геля дадаткова аптымізуе анты-статычныя характарыстыкі: павялічвае плошчу паверхні і гнуткасць, у той час як ячэістая структура робіць матэрыял больш лёгкім і гнуткім, палягчаючы прыліпанне да няправільных паверхняў (напрыклад, упакоўкі электронных кампанентаў). Сітаватая паверхня памяншае плошчу трэння, тым самым зводзячы да мінімуму выпрацоўку статычнай электрычнасці ў крыніцы. Тапалагічная аптымізацыя токаправоднай сеткі: падчас успеньвання токаправодныя напаўняльнікі маюць тэндэнцыю агрэгавацца на сценках клетак, утвараючы трохмерную сеткавую структуру, якая павышае эфектыўнасць рассейвання зарада. Ячэістая структура таксама адсарбуе сляды вільгаці, спрыяючы эфектыўнасці іённых антыстатыкаў.